Características: Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico VDDQ = 1.2V típico VPP = 2.5V típico VDDSPD = 2.2V a 3.6V Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara Atualização automática de baixa potência (LPASR) Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados Geração e calibração VREFDQ na matriz Classificação única EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS) BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF) Topologia de passagem Comando de controle terminado e barramento de endereço PCB: Altura 1,18 "(30,00 mm) Compatível com RoHS e sem halogênio Especificações: CL (IDD) = 22 ciclos Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.) Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.) Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.) Classificação UL: 94V - 0 Temperatura de operação: 0oC a +85oC Temperatura de armazenamento: -55oC a +100oC