Especificações: CL(IDD): 11 ciclos Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.) Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.) Consumo de energia: 2.160 W* UL Rating: 94 V - 0 Temperatura de Operação: 0oC a 85oC Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. Caracteristicas: Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes Latência CAS Programável: 11,10, 9, 8, 7, 6 Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS] Data Strobe Diferencial bi-direcional