Transistor IRFP90N20 Mosfet Canal N TO247 90N20 Original Itens Inclusos:01Un. Transistor IRFP90N20 O IRFP90N20 é um transistor de potência MOSFET de canal N projetado para aplicações de alta potência. Com uma tensão de dreno-fonte (VDS) de até 200 volts e uma corrente de dreno contínua (ID) de até 90 amperes, o IRFP90N20 é capaz de lidar com altas correntes e tensões, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de potência. Este transistor MOSFET apresenta uma baixa resistência de condução (RDS(on)), o que resulta em menor dissipação de energia e maior eficiência em circuitos de comutação. Ele possui uma tensão de acionamento de porta (VGS) de até 20 volts e uma corrente de acionamento de porta (IG) de até 4 amperes, permitindo um controle eficaz do transistor. O IRFP90N20 é amplamente utilizado em aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores de potência, sistemas de conversão de energia, acionamentos de motor e outros sistemas de potência de alta corrente. Sua capacidade de lidar com altas correntes, baixa resistência de condução e resposta rápida o tornam uma escolha popular em aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em comutação de potência. Ficha Técnica: Tipo de dispositivo: Transistor de potência MOSFET de canal NTensão de dreno-fonte (VDS): 200 voltsCorrente de dreno contínua (ID): 90 amperesResistência de condução (RDS(on)): 0.023 ohms (máximo)Tensão de acionamento de porta (VGS(th)): 2-4 voltsEncapsulamento: TO-247 TODOS OS NOSSOS COMPONENTES SÃO TESTADOS EM BANCADA. Os IGBTs, em especial, são submetidos a quatro testes:Teste dos DiodosTeste de Capacitância Gate-SourceTeste de Isolação Coletor-EmissorTeste de Detecção de Curtos PEDIMOS QUE A INSTALAÇÃO/SUBSTITUIÇÃO SEJA FEITA POR UM TÉCNICO ESPECIALIZADOAssegure-se de que as condições de instalação sejam adequadas às especificações do Módulo IGBT.Revise também o circuito de disparos (comutação) do placa do equipamento. Caso haja defeito nos gates, isso pode levar a uma queima do novo módulo.