Fabricante: Infineon Categoria de produto: Módulos IGBT Produto: IGBT Silicon Modules Configuração: Dual Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:1.7 kV Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.6 V Corrente contínua do coletor a 25oC: 300 A Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA Pd - Dissipação de potência: 1.25 kW Caixa / Gabinete: 62 mm Temperatura operacional mínima: - 40 C Temperatura operacional máxima: + 125 C Embalagem: Tray Marca: Infineon Technologies Altura: 30.5 mm Comprimento: 106.4 mm Tensão do emissor do gate máxima: 20 V Estilo de montagem: Chassis Mount Tipo de Produto: IGBT Modules Subcategoria: IGBTs Tecnologia: Si Largura: 61.4 mm